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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W No en existencias
Min.: 250
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Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
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Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V