Etapa de potencia GaN de 70 mΩ de 600 V LMG3410R070
La etapa de potencia GaN de 70 mΩ de 600 V LMG3410R070 de Texas Instruments con controlador y protección integrados ofrece ventajas con respecto a los MOSFET de silicio. Estas incluyen una capacitancia de entrada y salida ultrabaja. Las características incluyen la recuperación inversa nula que reduce las pérdidas de conmutación en un 80 %, y bajo nivel de repique de nodo de conmutación para reducir EMI.
