Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL8N10F7
STMicroelectronics
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STL8N10F7

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511-STL8N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

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SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1: $5.80
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STH275N8F7-6AG

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511-STH275N8F7-6AG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

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180 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

193 nC

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+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1: $6.97
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STH310N10F7-6

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511-STH310N10F7-6

STMicroelectronics

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

STL110N10F7
STMicroelectronics
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STL110N10F7

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511-STL110N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

21 A

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- 20 V, 20 V

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60 nC

- 55 C

+ 175 C

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STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

STP150N10F7AG
STMicroelectronics
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STP150N10F7AG

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511-STP150N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

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$4.64

$2.72

$2.13

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

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4.5 V

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250 W

Enhancement

AEC-Q100

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

STH240N10F7-6
STMicroelectronics
1: $5.00
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STH240N10F7-6

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511-STH240N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

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$5.00

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

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100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

STL30N10F7
STMicroelectronics
1: $1.66
5,144En existencias

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STL30N10F7

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511-STL30N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

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PowerFLAT-5x6-8

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1 Channel

100 V

8 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

4.8 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

STP110N10F7
STMicroelectronics
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STP110N10F7

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511-STP110N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

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N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

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60 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH240N10F7-2
STMicroelectronics
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STH240N10F7-2

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511-STH240N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

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SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

STL60N10F7
STMicroelectronics
1: $2.00
26,432En existencias

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STL60N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

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$2.00

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$0.858

$0.68

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

12 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL140N4F7AG
STMicroelectronics
1: $2.23
5,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL140N4F7AG

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511-STL140N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

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$2.23

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$0.624

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: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL140N6F7
STMicroelectronics
1: $3.22
3,039En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

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$3.22

$1.60

$1.45

$1.17

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$0.965

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

145 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

STH275N8F7-2AG
STMicroelectronics
1: $6.77
841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH275N8F7-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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841En existencias

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$6.77

$3.81

$3.47

$3.07

Envase tipo carrete

$2.67

$2.60

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

STF100N10F7
STMicroelectronics
1: $2.80
1,907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STF100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

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1,907En existencias

$2.80

$1.60

$1.24

$1.01

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

STL125N8F7AG
STMicroelectronics
1: $3.41
1,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL125N8F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL125N8F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

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1,156En existencias

Cinta cortada

$3.41

$2.22

$1.53

$1.28

Envase tipo carrete

$1.00

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: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

STP140N8F7
STMicroelectronics
1: $3.29
1,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP140N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP140N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

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1,267En existencias

$3.29

$1.64

$1.43

$1.20

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

STL3N10F7
STMicroelectronics
1: $0.88
7,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL3N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL3N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2

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7,245En existencias

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$0.88

$0.40

$0.353

$0.27

Envase tipo carrete

$0.206

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-2x2-6

N-Channel

1 Channel

100 V

4 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

STO450N6F7
STMicroelectronics
1: $6.75
1,770En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO450N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STO450N6F7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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1,770En existencias

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$6.75

$3.59

$3.28

$3.06

$2.89

Envase tipo carrete

$2.89

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Min.: 1
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: 1,800

SMD/SMT

TO-LL-8

N-Channel

1 Channel

60 V

545 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

STL160N6LF7
STMicroelectronics
1: $2.24
399En existencias
3,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL160N6LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N6LF7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

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399En existencias

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$2.24

$1.09

$0.971

$0.773

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
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6,584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH310N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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6,584En existencias

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$6.28

$4.16

$3.04

$2.80

Envase tipo carrete

$2.80

Presupuesto

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
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5,000Se espera el 7/9/2026

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STB100N10F7

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511-STB100N10F7

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

STD100N10F7
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

120 W

Enhancement

STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

STD105N10F7AG
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AEC-Q101

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STD25N10F7
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STripFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0013 Ohm typ 45 A Pwr MOSFET

STD45N10F7
STMicroelectronics
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

25 nC

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+ 175 C

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Enhancement

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STripFET™ F7 Power MOSFETs

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145 A
180 A
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2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3.2 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
6 mOhms
6.8 mOhms
7 mOhms
7.3 mOhms
8 mOhms
10 mOhms

2.4 W
2.9 W
4.8 W
5 W
30 W
40 W
50 W
60 W
85 W
100 W
111 W
120 W
135 W
150 W
166 W
167 W
200 W
250 W
300 W
315 W