U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 288,073En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 197,124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A 161,153En existencias
72,000Se espera el 4/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 17.6 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 21,275En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 18,243En existencias
24,000Se espera el 2/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 16,719En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-12V Vgss:+/-10V Id:-1A 10,908En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT CST3C-3 P-Channel 1 Channel 12 V 1 A 370 mOhms - 10 V, 10 V 1 V + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:+/-10V Id:-0.7A 4,229En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

Si SMD/SMT CST3C-3 P-Channel 1 Channel 20 V 700 mA 500 mOhms - 10 V, 10 V 1 V + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A 237En existencias
9,000Se espera el 6/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 10 A 40.1 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A 5,070En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.4 Ohms - 10 V, 10 V 1 V + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A 1,830En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.4 Ohms - 10 V, 10 V 1 V + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch
17,054Se espera el 13/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 14 A 6.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 47 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel