Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs are developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance. The technology enables an extremely low RDS(ON) increase vs. temperature, which results in low power losses across the full operating range. Available in 650V and 1200V variants, these MOSFETs are optimized for faster switching speeds, higher efficiency, and increased power density. GeneSiC G3F SiC MOSFETs offer high-speed, cool-running performance, with up to a +25°C lower case temperature. The thermally enhanced TOLL package for the 650V variant provides space and thermal management advantages. The 1200V models offer the power needed for next-generation EVs and industrial applications. Typical applications include AI data centers, EV roadside superchargers, onboard chargers (OBC), energy storage systems (ESS), and solar power solutions.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 753En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,103En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 90 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1,728En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,200

SMD/SMT TO-LL 650 V 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,495En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Hoja de datos
428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 536En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 648En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 100 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 257En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 78 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 458En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 70 A 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,200

SMD/SMT TO-LL 650 V 27 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 761En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1,133En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 57 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,050En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 52 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1,055En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,200

SMD/SMT TO-LL 650 V 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET 1,129En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 755En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,056En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 42 A 55 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET 1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,200

GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Hoja de datos
1,560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement