Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V N-CH MOSFET 1,766En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 100 V 277 A 1.89 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 2,066En existencias
12,000Se espera el 18/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 60 V 90.9 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 31.7 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 51.1A 2,531En existencias
6,000Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel 1 Channel 30 V 185.6 A 1.06 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 47.1A
8,975Se espera el 25/10/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8S N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 1.2 mOhms - 12 V, 16 V 4.2 V 65 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel