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STGSH80HB65DAG

Name: STMicroelectronics STGSH80HB65DAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGSH80HB65DAG
Price: 19.41 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGSH80HB65DAG

Fabricante N.º:

STGSH80HB65DAG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode

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$-.--

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 200)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$19.41	$19.41
	$13.88	$138.80
	$12.60	$1,260.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 200)
	$12.60	$2,520.00
	$10.87	$4,348.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	ACEPACK-5
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.1 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	83 A
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor:	800 nA
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	200
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	8.200 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGSH80HB65DAG 650V 80A HB Series IGBT

STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB Series IGBT features two IGBTs and diodes in a compact, rugged, surface-mounted package. The STMicroelectronics STGSH80HB65DAG IGBT is optimized for soft commutation, minimizing conduction and switching losses. Each switch includes a low-drop freewheeling diode, making it ideal for efficient resonant and soft-switching applications.