Resultados: 21
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-223
Hoja de datos
80,018En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
8,135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
4,698En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
2,328En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
4,286En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V
Hoja de datos
1,581En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
Hoja de datos
1,767En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
Hoja de datos
2,004En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
Hoja de datos
1,901En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-223
Hoja de datos
17,521En existencias
10,000Se espera el 28/5/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.8 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
1,581En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
443En existencias
9,000Se espera el 7/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
2,590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
966Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 6.8 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 19 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 200 V 6.5 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement