Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W
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Diodes Incorporated Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Low Side IntelliFET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.63W
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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3,641En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Cmp 30V NP Ch UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
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2,888En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
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16,552En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS-SINGLE
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
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8,303En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel
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6,950En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
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1,670En existencias
2,000Se espera el 20/3/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
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2,700En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-CH MOSFET
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15,246En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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2,341En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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3,141En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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2,672En existencias
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