Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1,447
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523 1,505,941En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A 42,124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 53,858En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 247,008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W 67,037En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K 89,079En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,490
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm 17,716En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V MOSFET (UMOS) 17,390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V MOSFET (UMOS) 9,572En existencias
7,500Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 78,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K 76,223En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,130
: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm 15,861En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 660
: 10,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN. 19,788En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 8,550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH ENHANCEMENT MODE MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9 23,008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel 6.8A MOSFET 15,556En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 5,636En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 7,022En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W 10,751En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power 4,949En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230
: 4,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V 22,332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel 3,347En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap 4,645En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS 9,591En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000