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AF54RHC132ENT-R

Name: Apogee Semiconductor AF54RHC132ENT-R
Brand: Apogee Semiconductor
SKU: 444-AF54RHC132ENT-R
Price: 105.01 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

444-AF54RHC132ENT-R

Fabricante N.º:

AF54RHC132ENT-R

Fabricante:

Apogee Semiconductor

Descripción:

Puertas lógicas GEO Quad Schmitt 2-input NAND, Evaluation-Grade, NiPdAu TSSOP14, packed in tape and reel

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$105.01	$105.01
	$95.06	$950.60
	$92.51	$2,312.75
	$92.45	$4,622.50
	$88.13	$8,813.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$85.37	$21,342.50

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Apogee Semiconductor
Categoría de producto:	Puertas lógicas
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Función lógica:	NAND
Número de puertas:	4 Gate
Familia lógica:	AF54RHC
Número de líneas de entrada:	8 Input
Paquete / Cubierta:	TSSOP-14
Número de líneas de salida:	4 Output
Corriente de salida de nivel bajo:	24 mA
Corriente de salida de nivel alto:	- 24 mA
Tiempo de retardo de propagación:	38 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.65 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Apogee Semiconductor
Tipo lógico:	CMOS
Rango de temperatura de trabajo:	- 55 C to + 125 C
Corriente de salida:	100 mA
Voltaje de salida:	5.5 V
Producto:	NAND Gate
Tipo de producto:	Logic Gates
Serie:	AF54RHC132
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Logic ICs
Nombre comercial:	LEO

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Hoja de datos

AF54RHC132ENT-R Hoja de datos (PDF)

PCN

USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 9A515.e.1

AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate

Apogee Semiconductor AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate with Schmitt trigger inputs is a member of the AF54RHC logic family. The Schmitt triggers on each input provide hysteresis and allow slow-rising or noisy input signals without any fall time or input rise requirements. This NAND gate is fabricated in a 180nm CMOS process using proprietary radiation-hardening techniques. The AF54RHC132 NAND gate delivers high resiliency to Single-Event Effects (SEE) and 300krad (Si) Total Ionizing Dose (TID). This NAND gate supports class 2 ESD protection (4000V HBM and 500V CDM).