SIJK5100E-T1-GE3

Vishay
78-SIJK5100E-T1-GE3
SIJK5100E-T1-GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 417A

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-16
N-Channel
1 Channel
100 V
417 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
536 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
Marca: Vishay
Configuración: Single
Tiempo de caída: 35 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 245 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 18 ns
Serie: SIJK5100E
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 54 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 41 ns
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SiJK5100E N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage. This MOSFET features 536W maximum power dissipation at +25°C, 487A continuous source-drain diode current at +25°C, and a single configuration. The SiJK5100E is UIS tested, lead free, and halogen free. Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET operates within a -55°C to +175°C temperature range. Typical applications include synchronous rectification, automation, power supplies, motor drive control, and battery management.