Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.

Todos los resultados (83)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 3,439En existencias
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: 5,000


Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2,116En existencias
10,000Se espera el 12/6/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101 6,535En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET 8,736En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET 4,824En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET 8,568En existencias
12,000Se espera el 1/6/2026
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10 255En existencias
3,000En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101 2,064En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101 1,927En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,338En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores Transistor Coupler Automotive; AEC-Q101 370En existencias
5,000Se espera el 26/5/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 49En existencias
9,000Se espera el 8/6/2026
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: 3,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,507En existencias
6,000En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,614En existencias
Min.: 1
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,588En existencias
4,000Se espera el 14/9/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101 2,271En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101 998En existencias
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: 2,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101 261En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores Transistor Coupler Automotive; AEC-Q101 641En existencias
6,000En pedido
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Toshiba Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101 612En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 202En existencias
1,000Se espera el 12/6/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 2,437En existencias
5,000Se espera el 12/6/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
108,000Se espera el 8/6/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
4,000En pedido
Min.: 1
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: 2,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
14,000Se espera el 12/6/2026
Min.: 1
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