U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

Resultados: 66
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W
Hoja de datos
7,155En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 72 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 24 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
17,785En existencias
15,000Se espera el 21/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
5,231En existencias
57,000Se espera el 17/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 11.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
Hoja de datos
36,608En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 41 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos
6,308En existencias
5,000Se espera el 8/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 26 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ
Hoja de datos
15,749En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 76 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
293En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
87En existencias
700Se espera el 1/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ
Hoja de datos
2,990En existencias
3,000Se espera el 8/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 22 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
6,013En existencias
39,000Se espera el 8/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W
Hoja de datos
791En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 82 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
Hoja de datos
78En existencias
200Se espera el 17/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 128 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 87 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 120A
Hoja de datos
328En existencias
350Se espera el 23/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 160 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 168 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
217En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
198En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W
Hoja de datos
45En existencias
250Se espera el 17/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 48.2 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
161En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
82En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 10.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W
Hoja de datos
1,228En existencias
2,450Se espera el 17/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 28.3 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ
Hoja de datos
224En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 75 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement U-MOSIX-H Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
Hoja de datos
5En existencias
50,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 74 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
Hoja de datos
213En existencias
10,000Se espera el 16/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 160 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
97En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 82 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 47 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel