Controladores GaN/MOSFET de medio puente MPQ1918
Los controladores GaN/MOSFET de medio puente MPQ1918 de Monolithic Power Systems (MPS) están diseñados para controlar FET de nitruro de galio (GaN) en modo de mejora o MOSFET de canal N con un bajo voltaje de umbral de puerta. Estos controladores de medio puente cuentan con entradas de modulación de ancho de pulso (PWM) de alta tensión (HS) y baja tensión (LS) independientes. Los controladores de medio puente MPQ1918 proporcionan una técnica de arranque para que el voltaje del controlador HS funcione hasta 100 VDC. Estos controladores incluyen un rango de voltaje de 3.7 V a 5.5 V (VCC), resistencia pull-down/pull-up de 0.27 Ω/1.2 Ω, y salidas de puertas separadas para obtener capacidades ajustables de encendido y apagado. Los controladores de medio puente MPQ1918 cuentan con la calificación AEC-Q100 grado 1 y están disponibles en un paquete FCQFN-14. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores de medio puente y puente completo, amplificadores clase D de audio, convertidores reductores sincrónicos y módulos de potencia.
