Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

Resultados: 104
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 2,499En existencias
7,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8.5 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8 250En existencias
15,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 40 V 9.2 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 676En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.8 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8 319En existencias
37,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 6.1 A 51.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 1,508En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 54 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 25 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 9,598En existencias
38,980En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A 52 mOhms, 52 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 21 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 2,627En existencias
21,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 2 Channel 20 V 6 A 20.1 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 28 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 2,360En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A, 60 A 5.7 mOhms, 2.8 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V, 1.1 V 21.5 nC, 51 nC - 55 C + 150 C 20.2 W, 40 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC70-6 23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 12 V 1.3 A 390 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 4.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR 572En existencias
27,500Se espera el 16/8/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4.3 A, 6 A 47 mOhms, 89 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 6 nC, 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.78 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SO-8 457En existencias
2,500Se espera el 1/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 12 V 8.9 A 18 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 52 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET 3,106En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT ChipFET-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.7 A, 4 A 55 mOhms, 150 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 4.2 nC, 5.6 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 435En existencias
39,000Se espera el 11/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 20 V 25 A 16.4 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 32 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SO-8 2,631En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 20 V 8 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 22 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 667En existencias
24,000Se espera el 11/3/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 2 Channel 12 V 4.5 A 28 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 16 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 132En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 21 nC - 55 C + 150 C 17.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
161,800Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
12,590Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 100 V 12.1 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
32,619Se espera el 10/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-89-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 350 mA, 500 mA 396 mOhms, 756 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1.3 nC, 1.65 nC - 55 C + 150 C 220 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 882En existencias
99,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-89-6 N-Channel 2 Channel 20 V 610 mA 396 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1.3 nC - 55 C + 150 C 220 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
11,450Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 40 V 34 A 11.71 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 22 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
6,000Se espera el 31/5/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 25 A, 30 A 5.3 mOhms, 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC, 32 nC - 55 C + 150 C 22 W, 40 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 3,000Existencias disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 12 V, 20 V 4.5 A 23 mOhms, 44 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 16 nC, 25 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6 No en existencias
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-6 N-Channel 1 Channel 24 V 11 A 28 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel