Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified 28,061En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 4.4 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified 113,709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 20 V 3.9 A 130 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 3.1 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified 31,430En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 7.5 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified 37,306En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 30 V 3 A 85 mOhms, 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.2 nC - 55 C + 175 C 1.67 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified 8,302En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 5 A 56 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 13,502En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 30 V 30 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id 6,673En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 185 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified 8,065En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 60 V 8 A 67 mOhms, 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id 474En existencias
4,000Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel