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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 3 Amp
Hoja de datos
1,582En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 3 A 90 mOhms - 18 V, 18 V 2.5 V 4.5 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 150 V StripFET
Hoja de datos
828En existencias
12,500Se espera el 9/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 5 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II
Hoja de datos
280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 68 V 98 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET
Hoja de datos
10,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
Hoja de datos
649En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 54 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
Hoja de datos
1,490Se espera el 4/1/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 120 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 28 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 58 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 24 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 109 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A 5.9 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 90 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V - 65 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 30 V 10 A SO-8 STri
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 10 A 21 mOhms - 22 V, 22 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 55V-2.9ohms 120A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 120 A 3.7 mOhms - 18 V, 18 V 1 V 80 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube