FET LDMOS y JFET de RF 5G

Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) y los FET de semiconductores de óxido metálico de difusión lateral (LDMOS) de RF 5G de MACOM son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la próxima generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN en SiC, sincronización de entrada, alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin orejas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiestándar.