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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPN95R1K2P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.91
-
5,586En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R1K2P7ATMA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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5,586En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Si
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SMD/SMT
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SOT-223-3
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N-Channel
|
1 Channel
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950 V
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6 A
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1.2 Ohms
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20 V
|
2.5 V
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15 nC
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- 55 C
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+ 150 C
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7 W
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Enhancement
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CoolMOS
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.19
-
3,868En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
3,868En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Si
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SMD/SMT
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DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
6 A
|
1.2 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
52 W
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Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R2K0P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.94
-
12,487En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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|
12,487En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Si
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SMD/SMT
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DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
4 A
|
2 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
10 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
37 W
|
Enhancement
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CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R750P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.68
-
4,928En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
4,928En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
9 A
|
750 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
23 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
73 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPA95R1K2P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.60
-
165En existencias
-
2,000Se espera el 31/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R1K2P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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|
165En existencias
2,000Se espera el 31/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
6 A
|
1.2 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
27 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R450P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.39
-
5En existencias
-
2,500Se espera el 18/2/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
5En existencias
2,500Se espera el 18/2/2027
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
14 A
|
450 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
35 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
104 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.56
-
460En existencias
-
63,000Se espera el 7/1/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
460En existencias
63,000Se espera el 7/1/2027
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
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Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
2 A
|
3.7 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
6 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPU95R750P7AKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.55
-
2,999Se espera el 22/10/2026
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N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R750P7AKMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
2,999Se espera el 22/10/2026
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|
Min.: 1
Mult.: 1
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|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
9 A
|
750 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
23 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
73 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPA95R450P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.40
-
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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|
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Si
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Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
14 A
|
450 mOhms
|
20 V
|
2.5 V
|
35 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
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Enhancement
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CoolMOS
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Tube
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