CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor 482En existencias
5,500En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor 2,570En existencias
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: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor 1,157En existencias
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: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor 140En existencias
960Se espera el 1/6/2026
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MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor 260En existencias
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MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor 212En existencias
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MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor 200En existencias
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MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor 340En existencias
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MOSFETs Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor 176En existencias
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MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor 83En existencias
240Se espera el 22/10/2026
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MOSFETs Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW 572En existencias
1,500Se espera el 4/2/2027
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW 693En existencias
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 617En existencias
1,500Se espera el 18/6/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor 2,644En existencias
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: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 698En existencias
240Se espera el 9/7/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,358En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor 236En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,155En existencias
2,500Se espera el 5/11/2026
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 330En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 231En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 517En existencias
2,500Se espera el 12/6/2026
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,515En existencias
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: 1,700

MOSFETs Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW 290En existencias
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,269En existencias
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: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 12En existencias
720Se espera el 1/6/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel