Resultados: 271
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W 1,045En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 43,404En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 3,579En existencias
3,000Se espera el 9/6/2026
Min.: 1
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: 3,000


Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 2,281En existencias
2,500Se espera el 17/2/2027
Min.: 1
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V 9,552En existencias
Min.: 1
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Máx.: 540
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET Low Rdson 5,422En existencias
7,500Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 2,879En existencias
Min.: 1
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: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W 4,652En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF 6,141En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson 3,756En existencias
4,000Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
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: 2,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A 6,611En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K 47,629En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 10,023En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 12,926En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 4,049En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 6,524En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 3,361En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 2,647En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 12,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V INPUT 5V 50mA 10 to 100V 7,103En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 60mA 3V 0.05A 45dB 0.24mA 12,232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,480
: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 40mA 3V 0.04A 45dB 0.24mA 33,885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 3mA 3V 0.03A 45dB 0.24mA 7,670En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión lineal 100V Input 12V 3mA 3V 0.03A 45dB 0.24mA 11,065En existencias
17,000Se espera el 3/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,240
: 1,000