Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

IPB80N06S4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.49
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IPB80N06S4L07ATMA2

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726-IPB80N06S4L07ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 80A D2PAK-2

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- 16 V, 16 V

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75 nC

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+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

IPB80N08S2-07
Infineon Technologies
1: $6.45
1,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N08S2-07

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726-IPB80N08S207

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS

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$6.45

$4.31

$3.10

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

75 V

80 A

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A DPAK-2

IPD5N25S3-430
Infineon Technologies
1: $1.94
2,638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD5N25S3-430

N.º de artículo de Mouser
726-IPD5N25S3-430

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A DPAK-2

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5 A

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4.7 nC

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.92
3,800En existencias
7,500Se espera el 13/5/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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7,500Se espera el 13/5/2027

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$2.92

$1.89

$1.30

$1.05

$0.984

Envase tipo carrete

$0.919

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DPAK-3 (TO-252-3)

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90 A

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- 16 V, 5 V

1.5 V

125 nC

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+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3

IPP200N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: $6.98
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP200N25N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N25N3GXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3

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921En existencias

$6.98

$4.42

$3.76

$3.19

$2.95

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64 A

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OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.35
37,149En existencias
108,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NWH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NWH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3

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$0.35

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$0.136

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$0.094

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SOT-323-3

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N043ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.53
11,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N043ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N043

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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TSDSON-8

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1 Channel

80 V

100 A

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- 20 V, 20 V

2.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $2.80
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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$2.80

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$1.24

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$0.87

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

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- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

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+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1: $3.97
1,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB039N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

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$3.97

$2.60

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MouseReel Disponible

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TO-263-7

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1 Channel

100 V

160 A

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- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
1: $7.51
545En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB200N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3

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$7.51

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$4.54

$4.06

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$3.57

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg

IRFS4321TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.15
3,381En existencias
7,200Se espera el 2/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4321TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4321TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg

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7,200Se espera el 2/7/2026

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

85 A

12 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

350 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg

IRFS4410ZTRLPBF
Infineon Technologies
1: $2.89
3,519En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4410ZTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4410ZTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg

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$2.89

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: $2.81
13,346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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$2.81

$1.87

$1.33

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: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9-1

N-Channel

1 Channel

40 V

205 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.39
1,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS138N H6327
Infineon Technologies
1: $0.34
260,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS138N H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1: $0.38
10,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

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Cinta cortada

$0.38

$0.347

Envase tipo carrete

$0.306

$0.06

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.5 A

140 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

800 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.18
573En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
1: $2.03
490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB081N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB081N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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490En existencias

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$2.03

$1.30

$0.898

$0.761

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$0.635

$0.605

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4-H2
Infineon Technologies
1: $2.88
702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N04S4-H2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4-H2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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$1.33

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$0.963

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB160N04S4-H1
Infineon Technologies
1: $3.28
309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB160N04S4-H1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB160N04S4-H1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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$1.19

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-03
Infineon Technologies
1: $2.67
430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S4-03

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-03

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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430En existencias

Cinta cortada

$2.67

$1.72

$1.18

$0.942

Envase tipo carrete

$0.867

$0.813

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

55 V

80 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S2L06ATMA2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S2L07ATMA3
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726-IPB80N06S2L07ATM

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

210 W

Enhancement

AEC-Q101

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
5 A
6 A
8.7 A
12 A
17 A
18.1 A
24.8 A
25 A
33 A
34 A
35 A
40 A
50 A
63 A
64 A
70 A

480 uOhms
500 uOhms
540 uOhms
640 uOhms
680 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
4.7 nC
9 nC
13 nC
14 nC
17.2 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31.5 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30 W
30.4 W
32 W
41 W
53 W
58 W
69 W
71 W
75 W
79 W
83.3 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W