N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

Resultados: 103
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
971En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 91 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3,839En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSON-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 205 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4,478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4,426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
980En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 20.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
725En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4,730En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4,478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
5,189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4,472En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
Hoja de datos
56,456En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
2,884En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
24,142En existencias
10,000Se espera el 24/4/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 250 V 25 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA2
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T
Hoja de datos
2,553En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 30 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,218En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
499En existencias
850Se espera el 4/5/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
1,756En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
3,957En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
5,110En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.9 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 158 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
2,265En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 180 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2
Hoja de datos
1,415En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
2,304En existencias
2,000Se espera el 18/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 190 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
3,324En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.6 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 220 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
4,408En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 34 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel