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BSM300D12P2E001

Name: ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM300D12P2E001
Price: 778.5 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-BSM300D12P2E001

Fabricante N.º:

BSM300D12P2E001

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET 300A SiC Power Module

Hoja de datos:

BSM300D12P2E001 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$778.50	$778.50

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Module
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	300 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.875 kW
Serie:	BSMx
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	65 ns
Altura:	15.4 mm
Longitud:	152 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	70 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	250 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	80 ns
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Ancho:	62 mm
Peso de la unidad:	444.780 g