Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Hoja de datos
454En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
444En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
TO-247-4 EliteSiC