Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

SSM3K345R,LF
Toshiba
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39,000Se espera el 8/6/2026

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SSM3K345R,LF

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

SSM3K347R,LF
Toshiba
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SSM3K347R,LF

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SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

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2.5 nC

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+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

SSM3K35AFS,LF
Toshiba
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SMD/SMT

SSM-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

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1 V

340 pC

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500 mW

Enhancement

U-MOSIII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K7002CFU,LF
Toshiba
1: $0.16
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SSM3K7002CFU,LF

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$0.03

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

3.9 Ohms

- 20 V, 20 V

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270 pC

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700 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID:0.4A

SSM3K7002KF,LF
Toshiba
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400 mA

1.05 Ohms

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1.1 V

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900 mW

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AEC-Q101

U-MOSVII-H

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SSM3K7002KFU,LF
Toshiba
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

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700 mW

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AEC-Q101

U-MOSVII-H

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SSM3K72CFS,LF
Toshiba
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SSM3K72CFS,LF

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757-SSM3K72CFSLF

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

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350 pC

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

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SSM3K72CTC,L3F
Toshiba
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SSM3K72CTC,L3F

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757-SSM3K72CTCL3F

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: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

60 V

150 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SSM3K09FU,LF
Toshiba
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SSM3K09FU,LF

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757-SSM3K09FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

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$0.125

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

1 Channel

30 V

400 mA

700 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
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SSM3K56ACT,L3F

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757-SSM3K56ACTL3F

Toshiba

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: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

840 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

SSM3K341TU,LF
Toshiba
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SSM3K341TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF

Toshiba

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$0.69

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Envase tipo carrete

$0.154

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 175 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

SSM3 High Current MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

14 mOhms
17.5 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
28 mOhms
43 mOhms
51 mOhms
90 mOhms
125 mOhms
164 mOhms
185 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
700 mOhms
840 mOhms
1.05 Ohms
1.1 Ohms
1.3 Ohms
1.75 Ohms
1.8 Ohms

270 pC
340 pC
350 pC
390 pC
600 pC
1 nC
1.5 nC
1.6 nC
2 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC
3.4 nC
3.6 nC
5.1 nC
9.3 nC
15.1 nC
16.6 nC
33 nC
38.5 nC