Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

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SQJ886EP-T1_GE3
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SQJ500AEP-T1_GE3
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SQJ840EP-T1_GE3
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SQJ486EP-T1_GE3
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SQJ486EP-T1_GE3

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78-SQJ486EP-T1_GE3

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SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ411EP-T1_GE3

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SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ479EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ423EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix
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SQJ443EP-T1_GE3

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SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay / Siliconix
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SQJA02EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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Vishay / Siliconix
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SQJA84EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ402EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 175 C

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Enhancement

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TrenchFET

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2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

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80 V

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25 mOhms

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101 nC

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

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2.6 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
4 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.7 mOhms, 22 mOhms
10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.6 mOhms
17.9 mOhms
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20 nC
25 nC
27 nC
30 nC
32 nC
34 nC
35 nC
38 nC
38.3 nC, 45 nC
40 nC
44 nC
55 nC
63 nC
65 nC
71 nC
73 nC
80 nC
90 nC
100 nC
101 nC