Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 236
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K5R1-30E/SOT1205/LFPAK56D 895En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.34 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 31.1 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K5R6-30E/SOT1205/LFPAK56D 71En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.76 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 56A 662En existencias
1,500Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 56 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 6.7 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 48A 3,877En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 48 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 15.8 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 42.9A 377En existencias
1,500Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 43 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 19.4 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 35.8A 1,388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 17.3 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 33A 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 80V 30A 99En existencias
1,500Se espera el 31/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 19.5 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 24A 1,451En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 20A 2,307En existencias
10,500Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 19A 1,344En existencias
1,500Se espera el 4/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 6.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 14A 31En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 54 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 6.7 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 70A 75En existencias
1,500Se espera el 6/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 28.1 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 52A 2,510En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y12-55B/SOT669/LFPAK 1,654En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 55 V 61.8 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35.2 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 53A 813En existencias
6,000Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25.41 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 9.4A 2,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 37.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A 198En existencias
1,500Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 96 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 33A 981En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 34A 153En existencias
1,500Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 15.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.1 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 75V 35.5A 1,366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 75 V 35.5 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21.2 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 30A 30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 24.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 30.9 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y3R5-40E/SOT669/LFPAK 134En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 49.4 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 22A 1,826En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 29.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 19A 2,182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 19 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel