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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
Hoja de datos
907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 104 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 337 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V
Hoja de datos
471En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.63 V 329 nC - 55 C + 175 C 686 W Enhancement EliteSiC