MOSFETs for Seat Control

MOSFETs are also for power switching circuits. Unlike bipolar junction transistors (BJTs), the competing type of power transistor, MOSFETs do not require a continuous flow of drive current to remain in the ON state. Additionally, MOSFETs can offer higher switching speeds, lower switching power losses, lower on-resistances, and reduced susceptibility to thermal runaway. In switched-mode power supplies (SMPSs), MOSFETS are often used as the switching elements for regulation as well as for power factor correction (PFC).

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Resultados: 52
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench
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1,580En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 80 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement PowerTrench Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75a 100V N-Ch UltraFET
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2,071En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 238 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement UltraFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Ch
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1,904En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 180 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 10 nC - 65 C + 175 C 48 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220AB N-Ch Power
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4,497En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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157,250En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK
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46,929En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 32 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN045-80YS/SOT669/LFPAK
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20,722En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 24 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Volts 60 Amps 83 Watts
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3,538En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 58 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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5,168En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50.8 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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953En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 85A N-CH MOSFET
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384En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 160 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement TrenchFET Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
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303En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
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725En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 58 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement PowerTrench Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35A 55V N-Channel UltraFET
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180En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 35 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 175 C 93 W Enhancement UltraFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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16,217En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 67 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
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32,657En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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4,790En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
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10,234En existencias
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Min.: 1
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 55 A 10.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 66 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN018-80YS/SOT669/LFPAK
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544En existencias
1,500Se espera el 10/11/2026
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 45 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 26 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
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916En existencias
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Min.: 1
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: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 23 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET
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2,728En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 60 V 104 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V MOSFET 15 MOhms
Hoja de datos
4,961En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 39 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
Hoja de datos
3,000Se espera el 3/2/2027
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 42 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
7,500Se espera el 27/8/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN011-80YS/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
4,500Se espera el 24/6/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 47 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 45 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel