GB02SLT12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

GeneSiC Semiconductor GB02SLT12 Silicon Carbide(SiC) Schottky Diodes are high voltage, high frequency, and reverse recovery-free diodes. These GB02SLT12 high-temperature capable diodes are SMB packages and offer good conversion efficiency in small footprints. The GB02SLT12 SiC diodes provide fast switching speed, low capacitance, and low forward voltage. These GB02SLT12 diodes are designed for solar inverters, voltage multiplier circuits used in X-ray, laser, and particle generator power supplies. The GB02SLT12 diodes operate in a temperature range from -55°C to 175°C with a repetitive peak reverse voltage of 1200V. The GeneSiC diodes are halogen-free and RoHS compliant.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
GeneSiC Semiconductor Diodos Schottky de SiC 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
Hoja de datos
14En existencias
3,000Se espera el 15/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

SMD/SMT DO-214-2 Single 300 mA 3.3 kV 1.2 V 10 A 100 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Reel, Cut Tape, MouseReel
GeneSiC Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 2A Standard
Hoja de datos
20,505En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

SMD/SMT DO-214-2 Single 2 A 1.2 kV 1.5 V 18 A 5 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Reel, Cut Tape, MouseReel