Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.     

Resultados: 60
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET
Hoja de datos
163En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 11A Si MOSFET
Hoja de datos
363En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 20A Si MOSFET
Hoja de datos
153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 24A Si MOSFET
Hoja de datos
500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
1,000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 24A Si MOSFET
Hoja de datos
47En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
138En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 15A Si MOSFET
Hoja de datos
366Se espera el 28/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 7A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 570 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 100 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 83 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 120 nC - 55 C + 150 C 615 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 165 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel