Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

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Enhancement

AEC-Q101

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SQJ560EP-T1_GE3
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Enhancement

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Enhancement

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AEC-Q101

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35 nC

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8 A

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Enhancement

AEC-Q101

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

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- 20 V, 20 V

1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

36 A

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- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ1902AEL-T1_GE3
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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

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200 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ968EP-T1_GE3
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N-Channel

2 Channel

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- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ200EP-T1_GE3
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

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- 20 V, 20 V

1 V

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27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ910AEP-T1_GE3
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2 Channel

30 V

30 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ914EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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PowerPAK-SO-8-4

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30 V

30 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ952EP-T1_GE3
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N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

12 mOhms

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1.5 V

30 nC

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQJ958EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

40 A

29.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJA34EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA34EP-T1_GE3

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PowerPAK-SO-8-4

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1 Channel

40 V

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ974EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ974EP-T1_GE3

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78-SQJ974EP-T1_GE3

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8,226Se espera el 8/6/2026

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$1.94

$1.19

$0.89

$0.70

$0.641

Envase tipo carrete

$0.589

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

30 A

21 mOhms, 21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3585EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $0.54
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N.º de artículo del Fabricante
SQ3585EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3585EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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7,060Se espera el 23/7/2026

Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.5 A, 3.57 A

49 mOhms, 140 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV, 1.5 V

2.5 nC, 3.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.09
9,000Se espera el 4/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
SQJ912BEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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9,000Se espera el 4/1/2027

Cinta cortada

$2.09

$1.34

$0.899

$0.714

$0.654

Envase tipo carrete

$0.589

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

11 mOhms

- 12 V, 12 V

2.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQJA36EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
3,000: $0.765
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA36EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA36EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

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Envase tipo carrete

$0.765

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

40 V

350 A

1.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
2.5 A, 3.57 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W