Resultados: 135
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
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3,574En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 550 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
Hoja de datos
1,513En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
Hoja de datos
1,019En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 39 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
Hoja de datos
1,591En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
Hoja de datos
639En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 65 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power
Hoja de datos
943En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Hoja de datos
1,205En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
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281En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
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386En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 65 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power
Hoja de datos
706En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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1,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
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627En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31.5 A 105 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 45 Amp
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1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 45 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 134 nC - 65 C + 150 C 417 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
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326En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp
Hoja de datos
191En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 50 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 560 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
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529En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 900 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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69En existencias
1,000Se espera el 9/7/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
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772En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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1,289En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8.5 A 470 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
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82En existencias
2,500Se espera el 14/5/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
Hoja de datos
634En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II
Hoja de datos
863En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
Hoja de datos
990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
Hoja de datos
1En existencias
2,000Se espera el 18/6/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
Hoja de datos
251En existencias
2,000Se espera el 19/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube