Resultados: 48
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Hoja de datos
1,575En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Hoja de datos
355En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Hoja de datos
1,237En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Hoja de datos
1,305En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Hoja de datos
720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
Hoja de datos
560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
2,662En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
2,446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Hoja de datos
1,001En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Hoja de datos
1,669En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Hoja de datos
3,769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Hoja de datos
590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
Hoja de datos
1,297Se espera el 18/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,300

SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,200
Mult.: 1,200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,250
Mult.: 1,250

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN