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FGH4L75T65MQDC50

Name: onsemi FGH4L75T65MQDC50
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L75T65MQDC50
Price: 11.37 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FGH4L75T65MQDC50

Fabricante N.º:

FGH4L75T65MQDC50

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode

Hoja de datos:

FGH4L75T65MQDC50 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$11.37	$11.37
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	$6.22	$746.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.45 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 30 V, 30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	110 A
Dp - Disipación de potencia :	385 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FGH4L75T65MQDC50
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector:	110 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	EliteSiC

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Hoja de datos

FGH4L75T65MQDC50 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGH4L75T65MQDC50 Field Stop 4th Gen Mid-Speed IGBT

onsemi FGH4L75T65MQDC50 Field Stop 4th Gen Mid-Speed IGBT offers optimum performance with low conduction and switching losses. FGH4L75T65MQDC50 utilizes field stop 4th generation IGBT technology and generation 1.5 SiC Schottky Diode technology in a TO-247 4-lead package. This IGBT transistor is for high-efficiency operations in various applications, especially totem-pole bridgeless PFC and inverters.