Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

SCT4013DRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DRC15
Price: 35.37 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-SCT4013DRC15

Fabricante N.º:

SCT4013DRC15

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 450

Se espera el 11/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 27

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$35.37	$35.37
	$25.56	$255.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	105 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	170 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	312 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tiempo de caída:	17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	32 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	32 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	82 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Alias de las piezas n.º:	SCT4013DR