Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

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IPA95R130PFD7XKSA1
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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

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- 30 V, 30 V

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Enhancement

Tube

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IPB95R130PFD7ATMA1
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MouseReel Disponible

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Reel, Cut Tape

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30 W

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Tube

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IPA95R310PFD7XKSA1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

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43 nC

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+ 150 C

104 W

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36.5 A

130 mOhms

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- 55 C

+ 150 C

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