CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low RDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Hoja de datos
487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Hoja de datos
429En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Tube
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 29A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Hoja de datos
429En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Hoja de datos
474En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7.3A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Hoja de datos
500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.3 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube