Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB175N20NM6ATMA1
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TO-263-3

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1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

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203 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPP130N20NM6AKSA1
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N-Channel

1 Channel

200 V

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Enhancement

OptiMOS

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ISC300N20NM6ATMA1
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Envase tipo carrete

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1 Channel

200 V

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPP069N20NM6AKSA1
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TO-220-3

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Tube

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IPB095N20NM6ATMA1
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Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

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IPP175N20NM6AKSA1
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TO-220-3

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200 V

61 A

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OptiMOS

Tube

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Envase tipo carrete

$3.86

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OptiMOS

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IPB068N20NM6ATMA1
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$8.19

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$3.96

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3

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200 V

134 A

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Enhancement

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$1.82

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: 1,000

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IPF067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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MouseReel Disponible

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Máx.: 600

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

200 V

138 A

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Enhancement

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IPP339N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
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IPP339N20NM6AKSA1

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TO-220-3

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.03
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N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Cinta cortada

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Envase tipo carrete

$2.49

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: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

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1 Channel

200 V

87 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC130N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.96
3,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC130N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC130N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Cinta cortada

$5.96

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Envase tipo carrete

$2.60

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

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20 V

4.5 V

39 nC

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242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISZ520N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.26
6,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ520N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ520N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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6,773En existencias

Cinta cortada

$2.26

$1.10

$0.98

$0.78

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Envase tipo carrete

$0.656

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

26 A

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20 V

3.7 V

9.9 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.95
294En existencias
1,000Se espera el 24/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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294En existencias

1,000Se espera el 24/9/2026

Cinta cortada

$5.95

$3.13

$2.85

$2.59

Envase tipo carrete

$2.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.60
9,880Se espera el 7/1/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC151N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC151N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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9,880Se espera el 7/1/2027

Cinta cortada

$5.60

$3.52

$2.77

$2.33

$2.16

Envase tipo carrete

$1.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

15.1 mOhms

20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP095N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: $5.90
4,499En pedido
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IPP095N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP095N20NM6AKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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4,499En pedido

$5.90

$3.10

$2.83

$2.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

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OptiMOS

Tube

OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

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