Schottky Barrier Rectifiers

Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers are available in four packages (DO-214AC (SMA), DO-214AA (SMB), DO-214AB (SMC), SOD-123W) to provide a wide variety of choices to meet the customer's design requirements. These devices are available in 1A, 2A, 3A, and 4A forward current (IF) ratings and repetitive peak reverse voltage (VRRM) choices of 40V, 60V, and 100V. The peak forward surge current (IFSM) is available in either 70A, 100A, or 145A ratings. These Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers have a low power loss and are highly efficient.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 2A, 60V Schottky Barrier Surface Mount Rectifier
Hoja de datos
558En existencias
20,000Se espera el 17/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SOD-123W-2
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 2,000
: 2,000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220S-3
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 2,000
: 2,000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220S-3
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 2,000
: 2,000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220S-3
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 2,000
: 2,000

MOSFETs Si Through Hole ITO-220TL-3