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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.6 mOhms 20 V 2.05 V 38 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
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360En existencias
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437En existencias
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Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 62 A 7 mOhms 20 V 2.05 V 23 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q12-40H/SOT8002/MLPAK33
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400En existencias
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Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q20-40H/SOT8002/MLPAK33
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102En existencias
3,000En pedido
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Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 28 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 8.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape