IXSA80N120L2-7TR

IXYS
747-IXSA80N120L2-7TR
IXSA80N120L2-7TR

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 760

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$12.00 $12.00
$9.77 $97.70
$7.65 $765.00
$7.26 $3,630.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
$7.02 $5,616.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
79 A
39 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13.6 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 24.6 ns
Serie: IXSA80N120L2-7
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 28.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15.4 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET features low conduction losses, low gate drive power requirements, and low thermal management effort and is optimized for gate control. The IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET is used for high-speed industrial switch-mode power supplies. This SiC MOSFET is ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating.