Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 0.94 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NSVT5551MR6T1G

Fabricante N.º:

NSVT5551MR6T1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NSVT5551MR6T1G

En existencias: 2,441

Existencias:: 2,441 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 10 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$0.94	$0.94
	$0.58	$5.80
	$0.396	$39.60
	$0.312	$156.00
	$0.267	$267.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.219	$657.00
	$0.201	$1,206.00
	$0.186	$1,674.00
	$0.175	$4,200.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOT-23-6
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	160 V
Tensión VCBO colector-base:	180 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Dp - Disipación de potencia :	700 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT:	300 MHz
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	NSVT5551M
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	600 mA
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	80 at 1 mA, 5 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

NSVT5551M Bipolar Transistor

onsemi NSVT5551M Bipolar Transistor is an AEC-Q101 qualified NPN general-purpose low V_CE(sat) amplifier. This NPN bipolar transistor has matched dies and operates at -55°C to 150°C storage temperature range. The NSVT5551M BJT Pb-free, halogen-free, BFR-free, and RoHS-compliant. This transistor is generally used for many different applications.