FDMS366xS PowerTrench® Power Stage MOSFETs

onsemi's FDMS366xS PowerTrench® Power Stage MOSFETs include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses. Integration of the two MOSFETs enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET 14,108En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 25 A 8 mOhms, 2.6 mOhms - 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 52 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET 9,268En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 30 A 8 mOhms, 1.8 mOhms - 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 87 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel