Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
DF2B18FU,H3F
Toshiba
1:
$0.33
21,226 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B18FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
21,226 En existencias
1
$0.33
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
DF2B29FU,H3F
Toshiba
1:
$0.32
8,962 En existencias
12,000 Se espera el 8/6/2026
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B29FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
8,962 En existencias
12,000 Se espera el 8/6/2026
1
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF2B36FU,H3F
Toshiba
1:
$0.14
27,721 En existencias
45,000 Se espera el 28/8/2026
N.º de artículo de Mouser 757-DF2B36FUH3F
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
27,721 En existencias
45,000 Se espera el 28/8/2026
1
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D29FU,LF
Toshiba
1:
$0.38
5,283 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF3D29FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
5,283 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
SSM3K337R,LF
Toshiba
1:
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3,506 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
3,506 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
SSM3K347R,LF
Toshiba
1:
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4,258 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K347RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
4,258 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
SSM6N357R,LF
Toshiba
1:
$0.66
1,406 En existencias
12,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N357RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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3,000 Se espera el 25/5/2026
9,000 Se espera el 8/6/2026
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
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281 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
281 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$2.08
876 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
876 En existencias
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Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
$2.95
443 En existencias
2,000 Se espera el 14/9/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
443 En existencias
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Carrete :2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
1:
$3.91
200 En existencias
2,000 Se espera el 26/8/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
200 En existencias
2,000 Se espera el 26/8/2026
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$3.91
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$1.47
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$1.37
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1:
$1.52
12,000 Se espera el 17/7/2026
N.º de artículo de Mouser 757-2SD1223TE16L1NQ
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
12,000 Se espera el 17/7/2026
1
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$0.368
10,000
$0.331
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
SSM3K341TU,LF
Toshiba
1:
$0.69
5,001 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
5,001 En pedido
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En pedido:
2,001 Se espera el 12/6/2026
3,000 Se espera el 7/8/2026
Plazo de entrega de fábrica:
11 Semanas
1
$0.69
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9,000
$0.136
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
1SS307E,L3F
Toshiba
1:
$0.15
64,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-1SS307EL3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
64,000 En pedido
Ver fechas
En pedido:
32,000 Se espera el 8/6/2026
32,000 Se espera el 2/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas
1
$0.15
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5,000
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8,000
$0.019
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :8,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
1SS403,H3F
Toshiba
1:
$0.22
15,033 Se espera el 12/6/2026
N.º de artículo de Mouser 757-1SS403H3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
15,033 Se espera el 12/6/2026
1
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1,000
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Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
Toshiba
1:
$0.70
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
1
$0.70
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$0.278
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1,000
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6,000
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$0.139
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
TB9081FG
Toshiba
1,600:
$8.83
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9081FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
No en existencias
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Min.: 1,600 Mult.: 1,600
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
+3 imágenes
TB9101FNG,EL
Toshiba
2,000:
$2.67
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TB9101FNG,EL
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
No en existencias
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Min.: 2,000 Mult.: 2,000
Carrete :2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000:
$0.547
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
No en existencias
2,000
$0.547
4,000
$0.519
Comprar
Min.: 2,000 Mult.: 2,000
Carrete :2,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
Toshiba 1SS403TPH3F
1SS403TPH3F
Toshiba
6,000:
$0.077
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS403(TPH3,F)
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
No en existencias
6,000
$0.077
12,000
$0.072
24,000
$0.066
Comprar
Min.: 6,000 Mult.: 6,000
Carrete :3,000
Detalles
