Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 83

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L005ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.57
1,314En existencias
5,000Se espera el 6/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L005ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L005

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,314En existencias

5,000Se espera el 6/8/2026

Cinta cortada

$3.57

$2.29

$1.69

$1.38

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Envase tipo carrete

$1.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

550 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

136 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6N006ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.57
8,974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6N006ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N006

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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8,974En existencias

Cinta cortada

$3.57

$2.21

$1.54

$1.32

Envase tipo carrete

$1.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

600 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.65
5,000En existencias
5,000Se espera el 4/5/2026

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ISC012N04NM6ATMA1

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726-ISC012N04NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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5,000En existencias

5,000Se espera el 4/5/2026

Cinta cortada

$2.65

$1.68

$1.17

$0.907

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Envase tipo carrete

$0.777

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

232 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC030N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.42
2,227En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N10NM6ATMA1

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726-ISC030N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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2,227En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

$4.42

$2.78

$2.05

$1.68

Ver

Envase tipo carrete

$1.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

179 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.34
5,798En existencias
15,000Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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5,798En existencias

15,000Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

$2.34

$1.51

$1.02

$0.817

$0.765

Envase tipo carrete

$0.715

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.74
10,411En existencias

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ISC230N10NM6ATMA1

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726-ISC230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$1.74

$1.10

$0.719

$0.57

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Envase tipo carrete

$0.429

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.32
3,694En existencias

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ISZ080N10NM6ATMA1

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726-ISZ080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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3,694En existencias

Cinta cortada

$2.32

$1.51

$1.07

$0.849

Envase tipo carrete

$0.728

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.04 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.74
9,443En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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9,443En existencias

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$1.74

$1.11

$0.737

$0.581

$0.522

Envase tipo carrete

$0.474

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC007N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.31
2,228En existencias
5,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SC007N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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2,228En existencias

5,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

$3.31

$2.17

$1.55

$1.32

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Envase tipo carrete

$1.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

381 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC010N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.77
9,935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC010N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SC010N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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9,935En existencias

Cinta cortada

$2.77

$1.79

$1.22

$1.03

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Envase tipo carrete

$0.847

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

285 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N007EAUMA1
Infineon Technologies
1: $3.44
5,862En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N04S6N007EAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N00E

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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5,862En existencias

Cinta cortada

$3.44

$2.25

$1.57

$1.36

Envase tipo carrete

$1.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-1

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC45N04S6N070HATMA1
Infineon Technologies
1: $1.92
8,079En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC45N04S6N070HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC45N04S6N070H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

8,079En existencias

Cinta cortada

$1.92

$1.23

$0.82

$0.648

$0.545

Envase tipo carrete

$0.524

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

55 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IST006N04NM6AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.48
3,007En existencias
2,000Se espera el 6/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IST006N04NM6AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST006N04NM6AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

3,007En existencias

2,000Se espera el 6/7/2026

Cinta cortada

$3.48

$2.62

$1.85

$1.64

$1.62

Envase tipo carrete

$1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

sTOLL-6

N-Channel

1 Channel

40 V

475 A

600 uOhms

- 10 V, 10 V

2.1 V

127 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.16
245En existencias
140,000Se espera el 2/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC022N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

245En existencias

140,000Se espera el 2/7/2026

Cinta cortada

$2.16

$1.38

$0.929

$0.758

Ver

Envase tipo carrete

$0.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $0.81
410En existencias
180,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ063N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

410En existencias

180,000En pedido

Cinta cortada

$0.81

$0.631

$0.556

$0.523

$0.505

Envase tipo carrete

$0.443

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQD005N04NM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.48
42En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQD005N04NM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD005N04NM6CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

42En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

$3.48

$2.39

$1.85

$1.81

$1.80

Envase tipo carrete

$1.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

610 A

470 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

129 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.98
153En existencias
20,000Se espera el 18/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

153En existencias

20,000Se espera el 18/3/2027

Cinta cortada

$2.98

$1.91

$1.30

$1.08

Ver

Envase tipo carrete

$0.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

238 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.31
7En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC027N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

7En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

$5.31

$3.20

$2.42

$2.08

$2.07

Envase tipo carrete

$1.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

192 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6N031HATMA1
Infineon Technologies
1: $2.50
1,523En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6N031HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N031H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,523En existencias

Cinta cortada

$2.50

$1.61

$1.10

$0.875

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Envase tipo carrete

$0.765

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

113 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6N050HATMA1
Infineon Technologies
1: $2.05
1,582En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6N050HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N050H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,582En existencias

Cinta cortada

$2.05

$1.31

$0.88

$0.698

Ver

Envase tipo carrete

$0.582

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

74 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQDH45N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.15
9,600Se espera el 18/3/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQDH45N04LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH45N04LM6CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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TTFN-9

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

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- 20 V, 20 V

3.3 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1 Channel

100 V

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- 20 V, 20 V

3.3 V

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ISC130N20NM6ATMA1
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TSON-8-3

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1 Channel

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88 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

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242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC151N20NM6ATMA1

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

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Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

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470 uOhms
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750 uOhms
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125 W
136 W
150 W
158 W
167 W