Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

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Resultados: 81

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC012N04LM6ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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1 Channel

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238 A

1.2 mOhms

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N007AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.51
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NRND

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IAUA250N04S6N007AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N007

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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$4.51

$3.01

$2.32

$2.06

Envase tipo carrete

$1.69

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
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726-IPB068N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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37En existencias

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$8.02

$5.45

$4.18

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQD005N04NM6CGATMA1
Infineon Technologies
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83En existencias
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IQD005N04NM6CGATMA1

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726-IQD005N04NM6CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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83En existencias

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$3.76

$2.58

$2.21

$1.96

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Infineon Technologies
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BSC010N04LS6ATMA1

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$1.13

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BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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BSC059N04LS6ATMA1

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IAUC120N04S6L005ATMA1

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726-IAUC120N04S6L005

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$2.64

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ISC012N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC012N04NM6ATMA1

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.65
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ISC060N10NM6ATMA1

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Infineon Technologies

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$2.65

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$1.08

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISZ080N10NM6ATMA1

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726-ISZ080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

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$0.968

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.68
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ISZ230N10NM6ATMA1

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726-ISZ230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$1.68

$1.07

$0.715

$0.564

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$0.416

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1 Channel

100 V

31 A

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3.3 V

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48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC007N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.31
2,988En existencias

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ISC007N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SC007N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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2,988En existencias

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$3.31

$2.16

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$1.29

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$1.04

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2.8 V

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+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC010N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.52
6,975En existencias
5,000Se espera el 13/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC010N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SC010N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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6,975En existencias

5,000Se espera el 13/8/2026

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$2.52

$1.62

$1.11

$0.90

$0.882

Envase tipo carrete

$0.797

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SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

285 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IST006N04NM6AUMA1
Infineon Technologies
1: $2.79
4,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST006N04NM6AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST006N04NM6AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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4,071En existencias

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$2.79

$2.53

$1.78

$1.62

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$1.34

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sTOLL-6

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1 Channel

40 V

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600 uOhms

- 10 V, 10 V

2.1 V

127 nC

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+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.11
257En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ024N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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257En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

$1.11

$0.902

$0.782

$0.724

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Envase tipo carrete

$0.532

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6N050HATMA1
Infineon Technologies
1: $1.38
1,582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6N050HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N050H

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,582En existencias

Cinta cortada

$1.38

$0.889

$0.753

$0.659

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$0.509

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

74 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

3 V

13 nC

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+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.43
1En existencias
2,000Se espera el 1/2/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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1En existencias

2,000Se espera el 1/2/2027

Cinta cortada

$7.43

$4.98

$3.74

$3.60

$3.59

Envase tipo carrete

$3.13

Min.: 1
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Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.53
80En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC027N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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80En existencias

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Cinta cortada

$4.53

$3.00

$2.10

$1.93

Envase tipo carrete

$1.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

192 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.31
200En existencias
15,000Se espera el 13/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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200En existencias

15,000Se espera el 13/8/2026

Cinta cortada

$2.31

$1.45

$1.02

$0.887

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Envase tipo carrete

$0.666

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.56
2,259En existencias
5,000Se espera el 12/3/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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2,259En existencias

5,000Se espera el 12/3/2026

Cinta cortada

$1.56

$0.987

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISZ330N12LM6ATMA1

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6N031HATMA1
Infineon Technologies
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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

113 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQDH45N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
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IQDH45N04LM6CGATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

637 A

450 uOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC022N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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230 A

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3.3 V

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254 W

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MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

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450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
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3 mOhms
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3.15 mOhms

3.6 nC
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10 nC
10.4 nC
13 nC
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14.4 nC
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29 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
125 W
136 W
150 W
158 W
167 W
187 W