Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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158En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
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67En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 30 A SiC SBD
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835En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FP-2
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
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90En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
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318En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
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242En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology MOSFETs de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
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862En existencias
270Se espera el 27/3/2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
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132En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
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225En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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43En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247
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230En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 20 A SiC SBD
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Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 30A SiC SBD
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164En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
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45En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 50 A SiC SBD
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145En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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52En existencias
120Se espera el 13/4/2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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30Se espera el 6/4/2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
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70En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4
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55En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
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17En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
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188En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3