NVMFDx 100V Dual N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFDx 100V Dual N-Channel Power MOSFETs are high-efficiency, compact solutions designed for demanding power switching applications. These MOSFETs feature low RDS(on) values and fast switching characteristics, making the onsemi NVMFDx ideal for use in DC-DC converters, motor drives, and battery management systems. Housed in a space-saving DFN-8 package, these MOSFETs support high current handling and thermal performance, which is critical for automotive, industrial, and consumer electronics. Each variant offers different current and resistance profiles to suit specific design needs, while maintaining robust avalanche energy ratings and low gate charge for improved efficiency and reliability in high-performance power systems.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 35 A 20 mOhms 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21 A 39 mOhms 20 V 3 V 4 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL 670En existencias
1,500Se espera el 27/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,346En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 35 A 20 mOhms 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21 A 39 mOhms 20 V 3 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape